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電化學(xué)作站/腐蝕測(cè)量?jī)x 型號(hào):DP-CS150

更新時(shí)間:2019-03-27點(diǎn)擊次數(shù):2173

 電化學(xué)作站/腐蝕測(cè)量?jī)x 型號(hào):DP-CS150 

DP-CS電化學(xué)作站采用浮地式,具有出色的穩(wěn)定性和度,的硬件和能善的軟件,為涉及能源、材料、生命科學(xué)、環(huán)保等域的科作者提供了的科研平臺(tái)。
具體應(yīng)用于:

(1) 電合成、電沉積(電鍍)、陽(yáng)氧化、電解等反應(yīng)機(jī)理研究;

(2)電化學(xué)分析研究;

(3)能源材料(鋰離子電池、太陽(yáng)能電池、燃料動(dòng)力電池和電容器等)、能材料以及傳感器的性能研究;

(4)金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評(píng)價(jià);

(5)緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰保護(hù)效率的快速評(píng)價(jià)。

硬件特點(diǎn)

● 雙通道相關(guān)分析器和雙通道速16bit /度24bit AD轉(zhuǎn)換器

● 內(nèi)置FRA頻響分析儀,頻率范圍 10μHz ~1MHz

● 帶寬輸入阻抗的放大器

● 內(nèi)置FPGA DDS信號(hào)合成器

● 率恒電位儀/恒電流儀/零電阻電流計(jì)

● 電壓控制范圍:±10V,槽壓為±21V(可擴(kuò)展至±200V)

● 電流控制范圍:±2.0A(可擴(kuò)展至±5.0A)

● 電位分辨率:10μV,電流分辨率:10pA(可延伸至100fA)

軟件特點(diǎn)

 


① 數(shù)據(jù)分析

伏安曲線的平滑、積分和微分運(yùn)算,計(jì)算各氧化還原峰的峰、峰面積和峰電位等;

化曲線的三參數(shù)或四參數(shù)動(dòng)力學(xué)解析,計(jì)算Tafel斜率ba,bc,腐蝕電流密度icorr,限擴(kuò)散電流、化電阻Rp和腐蝕速率等,還可由電化學(xué)噪聲譜計(jì)算率譜密度、噪聲電阻Rn和譜噪聲電阻Rsn(f)。

② 實(shí)時(shí)存儲(chǔ)

實(shí)時(shí)存儲(chǔ)測(cè)量數(shù)據(jù),即使因斷電導(dǎo)致測(cè)試中斷,中斷之前的數(shù)據(jù)也會(huì)自動(dòng)保存。

③ 定時(shí)測(cè)量

測(cè)試軟件具有定時(shí)測(cè)量能, 對(duì)于某些需要研究體系隨時(shí)間變化特征時(shí),可提前設(shè)好測(cè)試參數(shù)與間隔時(shí)間,讓儀器在無(wú)人值守下自動(dòng)定時(shí)測(cè)量,提實(shí)驗(yàn)效率。

 

恒電位控制范圍:±10V

 恒電流控制范圍:±2.0A

 電位控制度:0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV

 電流控制度:0.1%×滿量程讀數(shù)

 電位靈敏度:10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz)

 電流靈敏度:<10pA

 電位上升時(shí)間:﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A)

 電流量程:2A200nA, 8檔

 參比電輸入阻抗:1012Ω||20pF

 大輸出電流:2.0A

 槽壓輸出:±21V

 電流掃描增量:1mA @1A/mS

 CV和LSV掃描速度:0.01mV~10000V/s

 電位掃描電位增量:0.076mV @1V/mS

 CA和CC脈沖寬度:0.0001~65000s

 DPV和NPV脈沖寬度:0.0001~1000s

 SWV頻率:0.001~100KHz

 CV的小電位增量:0.075mV

 AD數(shù)據(jù)采集:16bit@1MHz,20bit @1kHz

 電流與電位量程:自動(dòng)設(shè)置

 DA分辨率:16bit,建立時(shí)間:1μS

 低通濾波器 8段可編程

 通訊接口:USB2.0

 儀器重量:6.5Kg

 外形尺寸(cm):36.5(W)X30.5 (D)X16 (H)

 

 

 信號(hào)發(fā)生器

 頻率響應(yīng):10μHz115KHz

 交流信號(hào)幅值:1mV2500mV

 頻率度:0.005%

 直流偏壓:-10V+10V

 DDS輸出阻抗:50Ω

 波形:正弦波,三角波,方波

 正弦波失真率:<1%

 掃描方式:對(duì)數(shù)/線性,增加/下降

 信號(hào)分析器

 大積分時(shí)間:106個(gè)循環(huán)或者105S

 測(cè)量時(shí)間延遲:0105

 小積分時(shí)間:10mS 或者個(gè)循環(huán)的長(zhǎng)時(shí)間

 

 直流偏置補(bǔ)償

 電位補(bǔ)償范圍:-10V+10V

 電流補(bǔ)償范圍:-1A+1A

 帶寬調(diào)整:自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置8級(jí)可調(diào)

 

 

能方法

DP-CS120

DP-CS150

DP-CS300

DP-CS310

DP-CS350

DP-CS360

穩(wěn)態(tài)化

 開(kāi)路電位測(cè)量(OCP)

    ●

 恒電位化(i-t曲線)

 恒電流化

 

 動(dòng)電位掃描(TAFEL曲線)

 動(dòng)電流掃描(DGP)

 

暫態(tài)化

 意恒電位階梯波

 意恒電流階梯波

 

 恒電位階躍(VSTEP)

 恒電流階躍(ISTEP)

 

 快速電位脈沖

 

 

 

 

 

 快速電流脈沖

 

 

 

 

 

計(jì)時(shí)分析

 計(jì)時(shí)電位法(CP)

 

 

 計(jì)時(shí)電流法(CA)

 

 

 計(jì)時(shí)電量法(CC)

 

 

伏安分析

 線性掃描伏安法(LSV)

 線性循環(huán)伏安法(CV)

 階梯循環(huán)伏安法(SCV)

 

 

 

 方波伏安法(SWV)

 

 

 

 差分脈沖伏安法(DPV)

 

 

 

 常規(guī)脈沖伏安法(NPV)

 

 

 

 常規(guī)差分脈沖伏安法(DNPV)

 

 

 

 交流伏安法(ACV)

 

 

 

 二次諧波交流伏安(SHACV)

 

 

 

溶出伏安

 恒電位溶出伏安

 

 

 

 線性溶出伏安

 

 

 

 階梯溶出伏安

 

 

 

 方波溶出伏安

 

 

 

交流阻抗

 電化學(xué)阻抗(EIS)~頻率掃描

 

 

 

 電化學(xué)阻抗(EIS)~時(shí)間掃描

 

 

 

 電化學(xué)阻抗(EIS)~電位掃描(Mott-Schottky曲線)

 

 

 

腐蝕測(cè)量

 循環(huán)化曲線(CPP)

 線性化曲線(LPR)

 電化學(xué)噪聲(EN)

 電偶腐蝕測(cè)量(ZRA)

 氫擴(kuò)散測(cè)試(HDT)*

電池測(cè)量

 電池充放電測(cè)試

 

 恒電流充放電

 

光電測(cè)量

 電致調(diào)光測(cè)量 *

 

 

 

 

 光譜儀測(cè)量 *

 

 

 

 

擴(kuò)展測(cè)量

 盤(pán)環(huán)電測(cè)試 *

 

 

 數(shù)字記錄儀

 波形發(fā)生器

 

 

 圓盤(pán)電機(jī)控制

 

 

 

注: * 氫擴(kuò)散及旋轉(zhuǎn)盤(pán)環(huán)電測(cè)試需配置DP-CS1001A恒流源或采用DP-CS2350雙恒電位儀。

* 光電測(cè)量能用戶選配。

* 產(chǎn)品3年質(zhì)保。

 

儀器配置:

1)儀器主機(jī)1臺(tái)

2)測(cè)試與分析軟件1套

3)電解池(含鹽橋和排氣管)1套

4)輔助、參比、作電各1支

5)模擬電解池1個(gè)

6)電源線/USB數(shù)據(jù)線各1條

7)電電纜線1條

8)電架(選配 *)

9)屏蔽箱(選配 *)

10)電腦(選配 *)